100万亿次读写寿命内存问世：一般人用不到
富士通半导体材料内存解决方法有限责任公司公布产品研发出了全新升级的8Mb FRAM内存，容积增涨，并适用并行接口，读写寿命第一次实现了100万亿次！
FRAM便是铁电存储器，不但寿命尤其长，并且关闭电源后数据信息不容易损害，可是这款储存器和大家基本了解的电脑硬盘储存又不一样，因为它的特点缘故，它的容积相对密度难以做大，因此它的存储量并不高。
因而，这款储存设备较大的应用领域是一些必须平稳的工业生产条件的数据信息的载入，而针对消費行业，实际意义并不大。
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