无需EUV光刻机 铠侠新NIL工艺直奔5nm

据日媒报导， 日本铠侠自2017年逐渐与半导体材料机械厂佳能eos，及其光罩、模版等半导体材料零组件生产商DNP协作，在日本三重县四日市的铠侠加工厂内产品研发纳米技术印压影视技术(NIL)的量产技术，现阶段铠侠早已熟练掌握了15nm的量产技术，并已经向15nm下列的工艺产品研发，预估2025年逐渐生产制造

对比于现阶段已产品化的极紫外线(EUV)工艺来讲，NIL工艺不应用EUV光刻机，减少了机器设备投进成本费，而且能耗更低，据悉NIL的用电量可放低至EUV生产过程的10%，并让机器设备项目投资减少至40%。可是NIL在量产上仍有很多难题亟待处理，包含更易于因微小浮尘而产生缺陷等的难题。

铠侠表明，已处理NIL的基本上技术难题，已经健全量产技术，期待能首先引进NAND生产制造。而依据DNP观点，NIL技术电源电路细致水平可以达到5nm，DNP将从2021年春天起，依据设施的尺寸开展內部模拟仿真。

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