中芯国际第二代FinFET已进入小量试产 14nm工艺再度进化

12月4日，有投资人在交流平台提出问题“我想问一下近期企业7纳米技术商品生产制造产品研发进度怎样？在世界各国将造成如何的危害？”对于此事，中芯国际回应“企业第一代FinFET 14nm已于今年四季度进到批量生产，第二代FinFET已进到小量试产。”

中芯国际第二代FinFET已进到小量试产

中芯国际2019第四季度财务报告大会上，梁孟松博士表露了中芯国际下一代“N 1”工艺的详尽数据信息。梁孟松博士表露，中芯国际的下一代N 1工艺和14nm对比，性能提高了20%，功能损耗减少了57%，逻辑性总面积变小了63%，SoC总面积降低了55%。

因此 在输出功率和可靠性层面，N 1和7nm工艺十分类似，唯一差别取决于性能层面，N 1工艺的提高较小，销售市场标准的性能提高应该是35%。因此 ，中芯国际的N 1工艺是朝向功耗主要用途的。

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