ASML已完成1nm光刻机设计 摩尔定律再次重新起效
想一想两年前的全世界集成电路芯片销售市场,确实可以说惨叫一片,一时间摩尔定律无效的观点可以说此起彼落。可是在今天,大家不但见到5nm工艺如期而至,tsmc公布2nm得到 重大突破,就连光刻机的大哥ASML也传出喜讯,全世界最优秀的1nm EUV光刻机业已完成设计方案。
ASML已完成1nm光刻机设计方案
前不久,与ASML(阿斯麦)协作产品研发光刻机的丹麦半导体材料科学研究组织IMEC发布了3nm及下列工艺的在缩微方面关键技术。实际看来,ASML针对3M、2nm、1.5nm、1nm乃至Sub 1nm都干了清楚的路线导航,且1nm时期的光刻机容积将扩大许多。
显而易见,1nm光刻机必须更强劲的物理学旋光性,2nm以后必须更高像素的曝出机器设备。现阶段早已投放量产的7nm、5nm工艺早已导入了0.33NA的EUV曝出机器设备,而ASML早已进行了0.55NA曝出机器设备的基础设计方案,预估在2023年完成商业化的。
很高兴见到摩尔定律又起效了!
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