如今5nm才刚刚起步,台积电的技术储备就已经紧张到了2nm,并朝着1nm迈进。根据最新报道,台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破,虽未披露细节,但是据此乐观预计,2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产,。
科技发展的速度远远超出了我们的预期,相信很多小伙伴的手机或者电脑都还没达到7nm的水平,如今台积电已经在规划在三年后试产2nm制程工艺的事情了,而且当年要达到良品率90%以上,并计划在次年直接实现2nm工艺芯片的。
根据美通社、媒体、台积电2nm工艺研究和开发取得的重大突破,与采用FinFET结构的3nm和5nm不同,台积电2nm采用了一种新的Mbcfet结构,它可以解决FinFET工艺微收缩引起的电流控制泄漏的物理极限问题,而且研究和开发进。
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