据外媒报道，世界最大数据存储器生产商三星电子周二公布，该企业刚开始应用极紫外线刻（EUV）技术性大批量生产业内最少的14纳米技术DRAM集成ic，这有利于其推进在储存领域的带领影响力。
继上年3月交货业内第一款EUV DRAM以后，三星电子已经将EUV层的数目提高到5层，为其DDR5解决方法给予现如今最细致、最领先的DRAM生产工艺流程。
DDR5是下一代DRAM规范，与DDR4对比，它有着速度更快、相对密度高、功能损耗低的特性。 它还对于互联网大数据、人工智能技术（AI）和深度学习等数据信息密集式运用实现了提升。
三星电子表明，EUV技术性降低了多图案设计制作中的反复流程，提升了图案设计制作的精确性，进而达到了更佳的性能指标和更好的生产量，并缩减了开发设计時间。
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