三星计划2022年量产3nm 首发GAA工艺 计划两年追上台积电

虽然现阶段三星半导体材料的工艺水准较台积电仍有一些差别，但三星的发展速率可以说众所周知。在2020年三星完成5nm量产以后，表明计划在2年内追赶台积电，2022年将量产3nm工艺。先前intel时期大家一度觉得摩尔定律无效，但现如今摩尔定律又在充分发挥着奇妙的法律效力。

三星计划2022年量产3nm

从今年刚开始，三星起动了一个“半导体材料2030计划”，期待在未来十年以前项目投资133万亿韩元（折合1160亿美金）变成世界最大的半导体公司，在其中优秀逻辑性工艺是关键之一，总体目标便是要追逐上台积电。

但三星追逐台积电的关键是在下一代的3nm上，由于这一代工艺上三星下注了GAA围绕栅极晶体三极管，是全世界第一家导进GAA工艺以替代FinFET工艺的，而台积电较为传统，3nm還是用FinFET，2nm上才会应用GAA工艺。

三星计划2022年量产3nm

最新动态称，三星半导体材料各个部门的管理层此前表露说，三星计划在2022年量产3nm工艺，而台积电的计划是2022年第三季度量产3nm工艺，如此一来三星一年后就需要迎头赶上台积电了。台积电层面本来计划2024年才发布2nm工艺，如今产品研发成功，2023年第三季度就精确试生产了。

不得不承认，合理的市场竞争仍是推动高新科技平稳往前的不二法门！

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